Samsung ha desarrollado un modulo de memoria de 4 GB

Samsung ha anunciado el desarrollo de una tecnología de fabricación de memorias, que le ha permitido ser el primero en fabricar un modulo de memoria DIMM de 4 GB.

Y según la nota de prensa de la propia Samsung no solo aumentara la capacidad de las memorias debido al menor tamaño del encapsulado, si no que además prometen que consumirán menos energía y serán más rápidas. Tanto que anuncian velocidades de hasta 1.6 gigabites por segundo.

Dicha tecnología se denomina TSV (through sillicon via, "camino a través del silicio") y consiste en un sistema de encapsulamiento basado en un proco a nivel de oblea que consigue colocar chips de memoria encima de otros sin que prácticamente haya espacio entre ellos. Para ello en vez de usar cableado o patillaje en el chip situado arriba, emplean unos orificios realizados con láser sobre el encapsulado del inferior que son rellenados con hilos de cobre para conectar el superior.

Esto además podría extenderse a encapsulados de otro tipo de semiconductores, no únicamente de memorias.

Samsung sigue imparable, innovando continuamente, sin duda es una de las compañías clave de esta última década.

No se ha anunciado una fecha de lanzamiento para memorias que incorporen esta tecnología, pero es posible que dentro de un año veamos este tipo de avances en todo tipo de memorias.

Nota de prensa